MT46V64M8TG-6T:D TR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MT46V64M8TG-6T:D TR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MT46V64M8TG-6T:D TR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MT46V64M8TG-6T:D TR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MT46V64M8TG-6T:D TR
- رقم القطعة:
- MT46V64M8TG-6T:D TR
- الصانع:
- Micron Technology
- وصف:
- IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 44921 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MT46V64M8TG-6T:D TR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | 15ns |
| الجهد - توريد: | 2.3 V ~ 2.7 V |
| تكنولوجيا: | SDRAM - DDR |
| تجار الأجهزة حزمة: | 66-TSOP |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| اسماء اخرى: | 557-1039-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 4 (72 Hours) |
| نوع الذاكرة: | Volatile |
| حجم الذاكرة: | 512Mb (64M x 8) |
| واجهة الذاكرة: | Parallel |
| تنسيق الذاكرة: | DRAM |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| وصف تفصيلي: | SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 167MHz 700ps 66-TSOP |
| تردد على مدار الساعة: | 167MHz |
| رقم جزء القاعدة: | MT46V64M8 |
| وقت الدخول: | 700ps |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMT46V64M8TG-6T:D TR
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل