MT46V128M4BN-75:D متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MT46V128M4BN-75:D، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MT46V128M4BN-75:D عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MT46V128M4BN-75:D مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MT46V128M4BN-75:D
- رقم القطعة:
- MT46V128M4BN-75:D
- الصانع:
- Micron Technology
- وصف:
- IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 26795 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MT46V128M4BN-75:D.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | 15ns |
| الجهد - توريد: | 2.3 V ~ 2.7 V |
| تكنولوجيا: | SDRAM - DDR |
| تجار الأجهزة حزمة: | 60-FBGA (10x12.5) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 60-TFBGA |
| درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 5 (48 Hours) |
| نوع الذاكرة: | Volatile |
| حجم الذاكرة: | 512Mb (128M x 4) |
| واجهة الذاكرة: | Parallel |
| تنسيق الذاكرة: | DRAM |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 133MHz 750ps 60-FBGA (10x12.5) |
| تردد على مدار الساعة: | 133MHz |
| رقم جزء القاعدة: | MT46V128M4 |
| وقت الدخول: | 750ps |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMT46V128M4BN-75:D
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU