العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > الدوائر المتكاملة (إكس) > ذاكرة > MT46H32M16LFBF-6 AAT:C
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C
رقم القطعة:
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C
الصانع:
Micron Technology
وصف:
IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
كمية المخزون:
21928 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C.pdf
تحقيق

المقدمة

MT46H32M16LFBF-6 AAT:C متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MT46H32M16LFBF-6 AAT:C، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MT46H32M16LFBF-6 AAT:C عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MT46H32M16LFBF-6 AAT:C مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:15ns
الجهد - توريد:1.7 V ~ 1.95 V
تكنولوجيا:SDRAM - Mobile LPDDR
سلسلة:-
اسماء اخرى:MT46H32M16LFBF-6 AAT:C-ND
MT46H32M16LFBF-6AAT:C
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 105°C (TA)
نوع الذاكرة:Volatile
حجم الذاكرة:512Mb (32M x 16)
واجهة الذاكرة:Parallel
تنسيق الذاكرة:DRAM
وصف تفصيلي:SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 166MHz 5.0ns
تردد على مدار الساعة:166MHz
وقت الدخول:5.0ns
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لMT46H32M16LFBF-6 AAT:C

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
MT46H32M16LFBF-5 IT:C Image MT46H32M16LFBF-5 IT:C Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H32M16LFBF-5 IT:B TR Image MT46H32M16LFBF-5 IT:B TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H256M32R4JV-5 IT:B TR Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA تحقيق
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR Image MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H32M16LFBF-6 IT:B TR Image MT46H32M16LFBF-6 IT:B TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H32M16LFBF-6 AT:C Image MT46H32M16LFBF-6 AT:C Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C Image MT46H32M16LFBF-5 AIT:C Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR Image MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H32M16LFBF-6 AT:B Image MT46H32M16LFBF-6 AT:B Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H32M16LFBF-6 AT:B TR Image MT46H32M16LFBF-6 AT:B TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H32M16LFBF-5 IT:B Image MT46H32M16LFBF-5 IT:B Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H32M16LFBF-6 IT:C TR Image MT46H32M16LFBF-6 IT:C TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H32M16LFBF-6 AIT:C Image MT46H32M16LFBF-6 AIT:C Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C TR Image MT46H32M16LFBF-6 AAT:C TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H32M16LFBF-6 IT:C Image MT46H32M16LFBF-6 IT:C Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H32M16LFBF-6 AT:C TR Image MT46H32M16LFBF-6 AT:C TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H32M16LFBF-6 AIT:C TR Image MT46H32M16LFBF-6 AIT:C TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA تحقيق
MT46H32M16LFBF-5:B TR Image MT46H32M16LFBF-5:B TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
MT46H256M32R4JV-5 WT:B Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA تحقيق

Latest الأخبار