MT29F8G08ABABAWP-AATX:B متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MT29F8G08ABABAWP-AATX:B، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MT29F8G08ABABAWP-AATX:B عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MT29F8G08ABABAWP-AATX:B مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MT29F8G08ABABAWP-AATX:B
- رقم القطعة:
- MT29F8G08ABABAWP-AATX:B
- الصانع:
- Micron Technology
- وصف:
- IC FLASH 8G PARALLEL TSOP
- كمية المخزون:
- 58925 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MT29F8G08ABABAWP-AATX:B.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | - |
| الجهد - توريد: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| تكنولوجيا: | FLASH - NAND |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q100 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| نوع الذاكرة: | Non-Volatile |
| حجم الذاكرة: | 8Gb (1G x 8) |
| واجهة الذاكرة: | Parallel |
| تنسيق الذاكرة: | FLASH |
| وصف تفصيلي: | FLASH - NAND Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMT29F8G08ABABAWP-AATX:B
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل