MSP430G2444IYFFR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MSP430G2444IYFFR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MSP430G2444IYFFR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MSP430G2444IYFFR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MSP430G2444IYFFR
- رقم القطعة:
- MSP430G2444IYFFR
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC MCU 16BIT 8KB FLASH 49DSBGA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 43199 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MSP430G2444IYFFR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | 1.8 V ~ 3.6 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 49-DSBGA (2.8x2.8) |
| سرعة: | 16MHz |
| سلسلة: | MSP430G2xx |
| ذاكرة الوصول العشوائي الحجم: | 512 x 8 |
| نوع الذاكرة برنامج: | FLASH |
| برنامج حجم الذاكرة: | 8KB (8K x 8) |
| الأجهزة الطرفية: | Brown-out Detect/Reset, POR, WDT |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 49-UFBGA, DSBGA |
| نوع مذبذب: | Internal |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| عدد الإدخال / الإخراج: | 32 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| EEPROM الحجم: | - |
| وصف تفصيلي: | MSP430 MSP430G2xx Microcontroller IC 16-Bit 16MHz 8KB (8K x 8) FLASH 49-DSBGA (2.8x2.8) |
| محولات البيانات: | A/D 12x10b |
| الحجم الأساسية: | 16-Bit |
| النواة: | MSP430 |
| الاتصال: | I²C, IrDA, LINbus, SCI, SPI, UART/USART |
| رقم جزء القاعدة: | MSP430G2444 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMSP430G2444IYFFR
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة