MSP430FR5720IPWR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MSP430FR5720IPWR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MSP430FR5720IPWR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MSP430FR5720IPWR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MSP430FR5720IPWR
- رقم القطعة:
- MSP430FR5720IPWR
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC MCU 16BIT 4KB FRAM 28TSSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 39585 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MSP430FR5720IPWR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | 2 V ~ 3.6 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 28-TSSOP |
| سرعة: | 8MHz |
| سلسلة: | MSP430™ FRAM |
| ذاكرة الوصول العشوائي الحجم: | 1K x 8 |
| نوع الذاكرة برنامج: | FRAM |
| برنامج حجم الذاكرة: | 4KB (4K x 8) |
| الأجهزة الطرفية: | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| نوع مذبذب: | Internal |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| عدد الإدخال / الإخراج: | 21 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| EEPROM الحجم: | - |
| وصف تفصيلي: | CPUXV2 MSP430™ FRAM Microcontroller IC 16-Bit 8MHz 4KB (4K x 8) FRAM 28-TSSOP |
| محولات البيانات: | A/D 10x10b |
| الحجم الأساسية: | 16-Bit |
| النواة: | CPUXV2 |
| الاتصال: | I²C, IrDA, LINbus, SCI, SPI, UART/USART |
| رقم جزء القاعدة: | MSP430FR5720 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMSP430FR5720IPWR
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة