MSD6100RLRAG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MSD6100RLRAG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MSD6100RLRAG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MSD6100RLRAG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MSD6100RLRAG
- رقم القطعة:
- MSD6100RLRAG
- وصف:
- DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 53627 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MSD6100RLRAG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.1V @ 100mA |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 100V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-92-3 |
| سرعة: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 4ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 135°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| تكوين الصمام الثنائي: | 1 Pair Common Cathode |
| وصف تفصيلي: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 100V 200mA (DC) Through Hole TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 100V |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 200mA (DC) |
| رقم جزء القاعدة: | MSD6100 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMSD6100RLRAG
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة