MSD30-18 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MSD30-18، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MSD30-18 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MSD30-18 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MSD30-18
- رقم القطعة:
- MSD30-18
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOD BRIDGE 3PH 1800V 30A M1
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 33425 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MSD30-18.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 1.8kV |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.6V @ 100A |
| تكنولوجيا: | Standard |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | M1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | QC Terminal |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Three Phase |
| وصف تفصيلي: | Bridge Rectifier Three Phase Standard 1.8kV QC Terminal |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 200µA @ 1800V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 30A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMSD30-18
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MSD50-16 | Microsemi | DIODE BRIDGE 1600V 50A M1 | تحقيق |
 |
MSD160-18 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1800V 160A M3 | تحقيق |
 |
MSD42WT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS NPN 300V 0.15A SOT-323 | تحقيق |
 |
MSD200-12 | Microsemi | DIODE BRIDGE 3PH 1200V 200A SM3 | تحقيق |
|
MSD30-16 | Microsemi | DIODE BRIDGE 1600V 30A M1 | تحقيق |
|
MSD50-12 | Microsemi | DIODE BRIDGE 3PH 1200V 50A SM1 | تحقيق |
|
MSD200-16 | Microsemi | DIODE BRIDGE 1600V 200A SM3 | تحقيق |
|
MSD30-08 | Microsemi | DIODE BRIDGE 3PH 800V 30A SM1 | تحقيق |
|
MSD1819A-RT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS NPN 50V 0.1A SOT-323 | تحقيق |
|
MSD42WT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS NPN 300V 0.15A SOT-323 | تحقيق |
|
MSD160-16 | Microsemi | MOD DIODE GPP 1600V 160A M3 | تحقيق |
|
MSD42SWT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS NPN 300V 0.15A SOT323 | تحقيق |
|
MSD200-08 | Microsemi | DIODE BRIDGE 3PH 800V 200A SM3 | تحقيق |
 |
MSD52-08 | Microsemi | DIODE BRIDGE 3PH 800V 50A SM2 | تحقيق |
 |
MSD2714AT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS NPN VHF/UHF BIPO 25V SC-59 | تحقيق |
|
MSD30-12 | Microsemi | DIODE BRIDGE 3PH 1200V 30A SM1 | تحقيق |
 |
MSD50-18 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1800V 50A M1 | تحقيق |
|
MSD50-08 | Microsemi | DIODE BRIDGE 3PH 800V 50A SM1 | تحقيق |
|
MSD42SWT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS NPN 300V 0.15A SOT323 | تحقيق |
|
MSD42T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS NPN 300V 0.15A SC-59 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل