MS18130-11ST متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MS18130-11ST، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MS18130-11ST عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MS18130-11ST مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MS18130-11ST
- رقم القطعة:
- MS18130-11ST
- الصانع:
- Dale / Vishay
- وصف:
- IM-4 1.8 10% MS18130-11 RJ4
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 32708 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MS18130-11ST.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Molded |
| تسامح: | ±10% |
| تجار الأجهزة حزمة: | Axial |
| حجم / البعد: | 0.155" Dia x 0.375" L (3.94mm x 9.53mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | MS18130 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 33 @ 7.9MHz |
| التعبئة والتغليف: | - |
| حزمة / كيس: | Axial |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مادة - كور: | Phenolic |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 7.9MHz |
| الحث: | 1.8µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | - |
| تردد - الذاتي الرنين: | 150MHz |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | 1.8µH Unshielded Molded Inductor 525mA 650 mOhm Max Axial |
| DC المقاومة (DCR): | 650 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 525mA |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMS18130-11ST
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MS18130-10SH | Dale / Vishay | IM-4 1.5 10% MS18130-10 RJ1 | تحقيق |
 |
MS1801 | Microsemi | RF POWER TRANSISTOR | تحقيق |
|
MS18130-12SH | Dale / Vishay | IM-4 2.2 10% MS18130-12 RJ1 | تحقيق |
|
MS18130-14BH | Dale / Vishay | IM-4 3.3 10% MS18130-14 B08 | تحقيق |
|
MS18130-14RU | Dale / Vishay | IM-4 3.3 10% MS18130-14 R36 | تحقيق |
|
MS18130-11RU | Dale / Vishay | IM-4 1.8 10% MS18130-11 R36 | تحقيق |
|
MS18130-10RU | Dale / Vishay | IM-4 1.5 10% MS18130-10 R36 | تحقيق |
|
MS18130-14ST | Dale / Vishay | IM-4 3.3 10% MS18130-14 RJ4 | تحقيق |
|
MS18130-11SH | Dale / Vishay | IM-4 1.8 10% MS18130-11 RJ1 | تحقيق |
|
MS18130-10BH | Dale / Vishay | IM-4 1.5 10% MS18130-10 B08 | تحقيق |
|
MS18130-12RU | Dale / Vishay | IM-4 2.2 10% MS18130-12 R36 | تحقيق |
|
MS18130-12ST | Dale / Vishay | IM-4 2.2 10% MS18130-12 RJ4 | تحقيق |
|
MS18130-10ST | Dale / Vishay | IM-4 1.5 10% MS18130-10 RJ4 | تحقيق |
|
MS18130-12BH | Dale / Vishay | IM-4 2.2 10% MS18130-12 B08 | تحقيق |
 |
MS1649 | Microsemi | TRANS RF BIPO 7.8W 470MHZ TO39 | تحقيق |
|
MS1701 | Microsemi | RF POWER TRANSISTOR | تحقيق |
|
MS18130-13BH | Dale / Vishay | IM-4 2.7 10% MS18130-13 B08 | تحقيق |
|
MS18130-14SH | Dale / Vishay | IM-4 3.3 10% MS18130-14 RJ1 | تحقيق |
|
MS18130-13RU | Dale / Vishay | IM-4 2.7 10% MS18130-13 R36 | تحقيق |
|
MS18130-11BH | Dale / Vishay | IM-4 1.8 10% MS18130-11 B08 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل