MS1645 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MS1645، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MS1645 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MS1645 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MS1645
- رقم القطعة:
- MS1645
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO220AC
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 44004 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MS1645.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 670mV @ 16A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 45V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AC |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-2 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Schottky |
| وصف تفصيلي: | Diode Schottky 45V 16A Through Hole TO-220AC |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 250µA @ 45V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 16A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMS1645
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MS14046-9ST | Dale / Vishay | IM-4 27 10% MS14046-9 RJ4 | تحقيق |
 |
MS1512 | Microsemi | TRANS BIPO NPN M122 | تحقيق |
|
MS1579 | Microsemi | TRANS RF BIPO 65W 5.2A M156 | تحقيق |
|
MS1801 | Microsemi | RF POWER TRANSISTOR | تحقيق |
|
MS1582 | Microsemi | TRANS RF BIPO 135W 8A M173 | تحقيق |
|
MS18130-10RU | Dale / Vishay | IM-4 1.5 10% MS18130-10 R36 | تحقيق |
|
MS1406 | Microsemi | TRANS RF BIPO 30W 3A M135 | تحقيق |
|
MS14046-9RU | Dale / Vishay | IM-4 27 10% MS14046-9 R36 | تحقيق |
|
MS18130-11RU | Dale / Vishay | IM-4 1.8 10% MS18130-11 R36 | تحقيق |
|
MS18130-11BH | Dale / Vishay | IM-4 1.8 10% MS18130-11 B08 | تحقيق |
|
MS1509 | Microsemi | TRANS RF BIPO 260W 15A M168 | تحقيق |
|
MS14046-9SH | Dale / Vishay | IM-4 27 10% MS14046-9 RJ1 | تحقيق |
|
MS1701 | Microsemi | RF POWER TRANSISTOR | تحقيق |
|
MS18130-10ST | Dale / Vishay | IM-4 1.5 10% MS18130-10 RJ4 | تحقيق |
|
MS1612 | Microsemi | RF POWER TRANSISTOR | تحقيق |
|
MS18130-10BH | Dale / Vishay | IM-4 1.5 10% MS18130-10 B08 | تحقيق |
 |
MS1409 | Microsemi | TRANS RF BIPO 7W 1A TO39 | تحقيق |
|
MS18130-10SH | Dale / Vishay | IM-4 1.5 10% MS18130-10 RJ1 | تحقيق |
|
MS1649 | Microsemi | TRANS RF BIPO 7.8W 470MHZ TO39 | تحقيق |
|
MS18130-11SH | Dale / Vishay | IM-4 1.8 10% MS18130-11 RJ1 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل