MRF1K50H-TF5 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MRF1K50H-TF5، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MRF1K50H-TF5 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MRF1K50H-TF5 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MRF1K50H-TF5
- رقم القطعة:
- MRF1K50H-TF5
- وصف:
- MRF1K50H-TF5
- كمية المخزون:
- 33007 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MRF1K50H-TF5.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 50V |
| الجهد - تقييمه: | 135V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | NI-1230-4H |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 1500W |
| حزمة / كيس: | SOT-979A |
| اسماء اخرى: | 935371359598 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| ربح: | 23.7dB |
| تردد: | 1.8MHz ~ 500MHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 200mA 1.8MHz ~ 500MHz 23.7dB 1500W NI-1230-4H |
| التصويت الحالي: | 20µA |
| الحالي - اختبار: | 200mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMRF1K50H-TF5
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM