MR102250R00BAE66 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MR102250R00BAE66، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MR102250R00BAE66 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MR102250R00BAE66 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MR102250R00BAE66
- رقم القطعة:
- MR102250R00BAE66
- الصانع:
- Dale / Vishay
- وصف:
- RES 250 OHM 0.175W 0.1% AXIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 21021 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MR102250R00BAE66.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±0.1% |
| معامل درجة الحرارة: | ±10ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | Axial |
| حجم / البعد: | 0.187" Dia x 0.375" L (4.75mm x 9.52mm) |
| سلسلة: | MR100 |
| وضع لوحة: | 250 Ohms |
| السلطة (واتس): | 0.175W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Axial |
| اسماء اخرى: | MR102-250-.1 MR102-250-.1% MR102-250-.1%-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 145°C |
| عدد الإنهاء: | 2 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | - |
| الميزات: | - |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 250 Ohms ±0.1% 0.175W Through Hole Resistor Axial Wirewound |
| تركيب: | Wirewound |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMR102250R00BAE66
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MR106100R00TAE66 | Dale / Vishay | RESISTOR 100 OHM 1/4W .01% WW | تحقيق |
|
MR102100R00AAE66 | Dale / Vishay | RES 100 OHM 0.175W 0.05% AXIAL | تحقيق |
|
MR102250R00AAE66 | Dale / Vishay | RES 250 OHM 0.175W 0.05% AXIAL | تحقيق |
|
MR1021K0000TAE66 | Dale / Vishay | RES 1.0K OHM 0.175W 0.01% AXIAL | تحقيق |
|
MR102350R00TAE66 | Dale / Vishay | RES 350 OHM 0.175W 0.01% AXIAL | تحقيق |
|
MR10210K000TAE66 | Dale / Vishay | RES 10K OHM 0.175W 0.01% AXIAL | تحقيق |
|
MR102350R00AAE66 | Dale / Vishay | RES 350 OHM 0.175W 0.05% AXIAL | تحقيق |
|
MR106100K00BAE66 | Dale / Vishay | RESISTOR 100K OHM 1/4W .1% WW | تحقيق |
|
MR10210K000BAE66 | Dale / Vishay | RES 10K OHM 0.175W 0.1% AXIAL | تحقيق |
|
MR102250R00TAE66 | Dale / Vishay | RES 250 OHM 0.175W 0.01% AXIAL | تحقيق |
|
MR102350R00BAE66 | Dale / Vishay | RES 350 OHM 0.175W 0.1% AXIAL | تحقيق |
|
MR106100R00BAE66 | Dale / Vishay | RESISTOR 100 OHM 1/4W .1% WW | تحقيق |
|
MR106100K00AAE66 | Dale / Vishay | RESISTOR 100K OHM 1/4W .05% WW | تحقيق |
|
MR1021K0000BAE66 | Dale / Vishay | RES 1.0K OHM 0.175W 0.1% AXIAL | تحقيق |
|
MR102100R00BAE66 | Dale / Vishay | RES 100 OHM 0.175W 0.1% AXIAL | تحقيق |
|
MR102100R00TAE66 | Dale / Vishay | RES 100 OHM 0.175W 0.01% AXIAL | تحقيق |
|
MR106100R00AAE66 | Dale / Vishay | RESISTOR 100 OHM 1/4W .05% WW | تحقيق |
|
MR1021K0000AAE66 | Dale / Vishay | RES 1.0K OHM 0.175W 0.05% AXIAL | تحقيق |
|
MR10210K000AAE66 | Dale / Vishay | RES 10K OHM 0.175W 0.05% AXIAL | تحقيق |
|
MR106100K00TAE66 | Dale / Vishay | RESISTOR 100K OHM 1/4W .01% WW | تحقيق |
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM