MPMT50011002BT1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MPMT50011002BT1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MPMT50011002BT1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MPMT50011002BT1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MPMT50011002BT1
- رقم القطعة:
- MPMT50011002BT1
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- RES NTWRK 2 RES MULT OHM TO236-3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 56137 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MPMT50011002BT1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±0.1% |
| معامل درجة الحرارة: | ±25ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23 |
| حجم / البعد: | 0.113" L x 0.051" W (2.86mm x 1.30mm) |
| سلسلة: | MPM |
| المقاوم نسبة-الانجراف: | ±2 ppm/°C |
| نسبة مطابقة المقاوم: | ±0.01% |
| المقاومة (أوم): | 5k, 10k |
| قوة لكل عنصر: | 100mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| عدد من المقاومات: | 2 |
| عدد من الدبابيس: | 3 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.040" (1.02mm) |
| وصف تفصيلي: | 5k, 10k Ohm ±0.1% 100mW Power Per Element Voltage Divider 2 Resistor Network/Array ±25ppm/°C TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| الدائرة نوع: | Voltage Divider |
| التطبيقات: | Voltage Divider (TCR Matched) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMPMT50011002BT1
Latest الأخبار
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل