MMBZ5235ELT1G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MMBZ5235ELT1G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MMBZ5235ELT1G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MMBZ5235ELT1G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MMBZ5235ELT1G
- رقم القطعة:
- MMBZ5235ELT1G
- وصف:
- DIODE ZENER 6.8V 225MW SOT23-3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 40389 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MMBZ5235ELT1G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - زينر (الإسمي) (فز): | 6.8V |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 900mV @ 10mA |
| تسامح: | ±5% |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23-3 (TO-236) |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 225mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | MMBZ5235ELT1GOS |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مقاومة (ماكس) (Zzt): | 5 Ohms |
| وصف تفصيلي: | Zener Diode 6.8V 225mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 3µA @ 5V |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMMBZ5235ELT1G
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار