MLS113M040EB0A متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MLS113M040EB0A، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MLS113M040EB0A عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MLS113M040EB0A مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MLS113M040EB0A
- رقم القطعة:
- MLS113M040EB0A
- الصانع:
- Cornell Dubilier Electronics
- وصف:
- CAP ALUM 11000UF 20% 40V FLATPCK
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 49907 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MLS113M040EB0A.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 40V |
| تسامح: | ±20% |
| السطح حجم جبل لاند: | - |
| حجم / البعد: | 3.000" L x 1.750" W (76.20mm x 44.45mm) |
| سلسلة: | MLS |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | FlatPack, Tabbed |
| اسماء اخرى: | 338-3620 MLS113M040EB0A-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 10000 Hrs @ 85°C |
| تباعد الرصاص: | 1.000" (25.40mm) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.500" (12.70mm) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 36 mOhm |
| وصف تفصيلي: | 11000µF 40V Aluminum Electrolytic Capacitors FlatPack, Tabbed 36 mOhm 10000 Hrs @ 85°C |
| مواسعة: | 11000µF |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMLS113M040EB0A
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي