MLP2012V1R0TT0S1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MLP2012V1R0TT0S1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MLP2012V1R0TT0S1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MLP2012V1R0TT0S1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MLP2012V1R0TT0S1
- رقم القطعة:
- MLP2012V1R0TT0S1
- الصانع:
- TDK Corporation
- وصف:
- FIXED IND 1H 700MA 338 MOHM SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 25216 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MLP2012V1R0TT0S1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Multilayer |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | 0805 (2012 Metric) |
| حجم / البعد: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | MLP |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| حزمة / كيس: | 0805 (2012 Metric) |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مادة - كور: | Ferrite |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 2MHz |
| الحث: | 1H |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.022" (0.55mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | - |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | 1H Shielded Multilayer Inductor 700mA 338 mOhm 0805 (2012 Metric) |
| DC المقاومة (DCR): | 338 mOhm |
| التصويت الحالي: | 700mA |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMLP2012V1R0TT0S1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MLP2016H1R5MT | TDK Corporation | FIXED IND 1.5UH 1.2A 137.5 MOHM | تحقيق |
 |
MLP2012V2R2MT | TDK Corporation | FIXED IND 2.2UH 700MA 360 MOHM | تحقيق |
|
MLP2012V1R5MT | TDK Corporation | FIXED IND 1.5UH 800MA 300 MOHM | تحقيق |
|
MLP2012V1R0MT0S1 | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 900MA 200 MOHM SMD | تحقيق |
|
MLP2012SR82T | TDK Corporation | FIXED IND 820NH 1.2A 130 MOHM | تحقيق |
|
MLP2012S4R7MT0S1 | TDK Corporation | FIXED IND 4.7UH 700MA 260 MOHM | تحقيق |
|
MLP2012V2R2MT0S1 | TDK Corporation | FIXED IND 2.2UH 700MA 280 MOHM | تحقيق |
|
MLP2016H1R0MT | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 1.3A 112.5 MOHM | تحقيق |
|
MLP2012V4R7MT | TDK Corporation | FIXED IND 4.7UH 600MA 520 MOHM | تحقيق |
|
MLP2012V1R0TT | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 700MA 338 MOHM SMD | تحقيق |
|
MLP2016H1R0MT0S1 | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 1.3A 90 MOHM SMD | تحقيق |
|
MLP2012SR82TT0S1 | TDK Corporation | FIXED IND 820NH 1.2A 169 MOHM | تحقيق |
|
MLP2012SR47TT0S1 | TDK Corporation | FIXED IND 470NH 1.2A 169 MOHM | تحقيق |
|
MLP2012SR47T | TDK Corporation | FIXED IND 470NH 1.2A 130 MOHM | تحقيق |
|
MLP2012SR47MT0S1 | TDK Corporation | FIXED IND 470NH 1.2A 90 MOHM SMD | تحقيق |
|
MLP2012V1R0T | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 700MA 260 MOHM SMD | تحقيق |
|
MLP2012V4R7MT0S1 | TDK Corporation | FIXED IND 4.7UH 600MA 400 MOHM | تحقيق |
|
MLP2012VR47MT0S1 | TDK Corporation | FIXED IND 470NH 1.1A 110 MOHM | تحقيق |
|
MLP2012V1R5MT0S1 | TDK Corporation | FIXED IND 1.5UH 800MA 230 MOHM | تحقيق |
|
MLP2012S3R3MT0S1 | TDK Corporation | FIXED IND 3.3UH 900MA 190 MOHM | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار