ML610Q101-NNNGDZ05BX متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ML610Q101-NNNGDZ05BX، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ML610Q101-NNNGDZ05BX عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ML610Q101-NNNGDZ05BX مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ML610Q101-NNNGDZ05BX
- رقم القطعة:
- ML610Q101-NNNGDZ05BX
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- IC MCU 8BIT 4KB FLASH 16WQFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 25885 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.ML610Q101-NNNGDZ05BX.pdf2.ML610Q101-NNNGDZ05BX.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | 2.7 V ~ 5.5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-WQFN (4x4) |
| سرعة: | 8MHz |
| سلسلة: | ML610100 |
| ذاكرة الوصول العشوائي الحجم: | 256 x 8 |
| نوع الذاكرة برنامج: | FLASH |
| برنامج حجم الذاكرة: | 4KB (2K x 16) |
| الأجهزة الطرفية: | POR, PWM, WDT |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 16-WFQFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | ML610Q101-NNNGDZ05BXTR ML610Q101-NNNGDZ0ANL ML610Q101-NNNGDZTR ML610Q101-NNNGDZTR-ND ML610Q101NNNGDZTR ML610Q101NNNGDZTR-ND |
| نوع مذبذب: | Internal |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| عدد الإدخال / الإخراج: | 11 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| EEPROM الحجم: | - |
| وصف تفصيلي: | nX-U8/100 ML610100 Microcontroller IC 8-Bit 8MHz 4KB (2K x 16) FLASH 16-WQFN (4x4) |
| محولات البيانات: | A/D 6x10b |
| الحجم الأساسية: | 8-Bit |
| النواة: | nX-U8/100 |
| الاتصال: | UART/USART |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لML610Q101-NNNGDZ05BX
Latest الأخبار
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة