MKP1848C66512JY5 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MKP1848C66512JY5، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MKP1848C66512JY5 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MKP1848C66512JY5 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MKP1848C66512JY5
- رقم القطعة:
- MKP1848C66512JY5
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- CAP FILM 65UF 5% 1.2KVDC RAD 4LD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 48098 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تقييم الجهد - العاصمة: | 1200V (1.2kV) |
| تقييم الجهد - AC: | - |
| تسامح: | ±5% |
| نهاية: | PC Pins |
| حجم / البعد: | 2.264" L x 2.756" W (57.50mm x 70.00mm) |
| سلسلة: | MKP1848C |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Radial - 4 Leads |
| اسماء اخرى: | 1848C66512JY5 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| تباعد الرصاص: | 2.067" (52.50mm) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 2.559" (65.00mm) |
| الميزات: | Low ESR; Low ESL; Long Life |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 2 mOhms |
| عازلة المواد: | Polypropylene (PP), Metallized |
| وصف تفصيلي: | 65µF Film Capacitor 1200V (1.2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial - 4 Leads |
| مواسعة: | 65µF |
| التطبيقات: | DC Link, DC Filtering |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMKP1848C66512JY5
Latest الأخبار
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل