MJD44H11-001 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MJD44H11-001، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MJD44H11-001 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MJD44H11-001 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MJD44H11-001
- رقم القطعة:
- MJD44H11-001
- وصف:
- TRANS NPN 80V 8A IPAK
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 38666 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MJD44H11-001.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 80V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 1V @ 400mA, 8A |
| نوع الترانزستور: | NPN |
| تجار الأجهزة حزمة: | I-PAK |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 1.75W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| اسماء اخرى: | MJD44H11-001OS |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| تردد - تحول: | 85MHz |
| وصف تفصيلي: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 85MHz 1.75W Through Hole I-PAK |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 40 @ 4A, 1V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 1µA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 8A |
| رقم جزء القاعدة: | MJD44H11 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMJD44H11-001
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي