MIC4468YWM-TR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MIC4468YWM-TR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MIC4468YWM-TR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MIC4468YWM-TR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MIC4468YWM-TR
- رقم القطعة:
- MIC4468YWM-TR
- وصف:
- IC DRIVER MOSF QUAD 1.2A 16-SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 47762 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MIC4468YWM-TR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 4.5 V ~ 18 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-SOIC |
| سلسلة: | - |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 14ns, 13ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| اسماء اخرى: | MIC4468YWM TR MIC4468YWM TR-ND MIC4468YWMTR MIC4468YWMTR-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| تردد الإدخال: | 4 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 2 (1 Year) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| المنطق الجهد - فيل، فيه: | 0.8V, 2.4V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Non-Inverting |
| نوع البوابة: | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| تكوين مدفوعة: | Low-Side |
| وصف تفصيلي: | Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 16-SOIC |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة): | 1.2A, 1.2A |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Independent |
| رقم جزء القاعدة: | MIC4468 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMIC4468YWM-TR
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC