MIC4452ABM متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MIC4452ABM، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MIC4452ABM عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MIC4452ABM مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MIC4452ABM
- رقم القطعة:
- MIC4452ABM
- وصف:
- IC DRIVER MOSFET 12A HS 8-SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 20300 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MIC4452ABM.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 4.5 V ~ 18 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| سلسلة: | - |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 20ns, 24ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| تردد الإدخال: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| المنطق الجهد - فيل، فيه: | 0.8V, 2.4V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| نوع المدخلات: | Non-Inverting |
| نوع البوابة: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| تكوين مدفوعة: | Low-Side |
| وصف تفصيلي: | Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة): | 12A, 12A |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Single |
| رقم جزء القاعدة: | MIC4452 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMIC4452ABM
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار