MEE3S1205SC متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MEE3S1205SC، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MEE3S1205SC عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MEE3S1205SC مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MEE3S1205SC
- رقم القطعة:
- MEE3S1205SC
- الصانع:
- Murata Power Solutions
- وصف:
- DC DC CONVERTER 5V 3W
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 50217 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MEE3S1205SC.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - المخرج 3: | - |
| الجهد - الناتج 2: | - |
| الجهد - الناتج 1: | 5V |
| الجهد - العزلة: | 1kV |
| الجهد - الإدخال (مين): | 10.8V |
| الجهد - الإدخال (ماكس): | 13.2V |
| اكتب: | Isolated Module |
| حجم / البعد: | 0.56" L x 0.32" W x 0.40" H (14.2mm x 8.2mm x 10.2mm) |
| سلسلة: | MEE3 |
| السلطة (واتس): | 3W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 4-SIP Module |
| اسماء اخرى: | 811-2356-5 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد من المخرجات: | 1 |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | - |
| كفاءة: | 85% |
| وصف تفصيلي: | Isolated Module DC DC Converter 1 Output 5V 600mA 10.8V - 13.2V Input |
| الحالي - الناتج (ماكس): | 600mA |
| التطبيقات: | ITE (Commercial) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMEE3S1205SC
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC