MCY212R052T متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MCY212R052T، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MCY212R052T عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MCY212R052T مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MCY212R052T
- رقم القطعة:
- MCY212R052T
- الصانع:
- Vishay Precision Group
- وصف:
- RES 212.052 OHM 0.01% 0.3W RAD
- كمية المخزون:
- 23823 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.MCY212R052T.pdf2.MCY212R052T.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±0.01% |
| معامل درجة الحرارة: | ±2.5ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | Radial Lead |
| حجم / البعد: | 0.311" L x 0.091" W (7.90mm x 2.30mm) |
| سلسلة: | MC |
| وضع لوحة: | 212.052 Ohms |
| السلطة (واتس): | 0.3W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Radial |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 175°C |
| عدد الإنهاء: | 2 |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.335" (8.50mm) |
| الميزات: | - |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 212.052 Ohms ±0.01% 0.3W Through Hole Resistor Radial Metal Foil |
| تركيب: | Metal Foil |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMCY212R052T
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل