MCR708AT4G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MCR708AT4G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MCR708AT4G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MCR708AT4G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MCR708AT4G
- رقم القطعة:
- MCR708AT4G
- الصانع:
- Hamlin / Littelfuse
- وصف:
- THYRISTOR SCR 4A 600V DPAK
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 55676 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.MCR708AT4G.pdf2.MCR708AT4G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - في دولة (فتم) (ماكس): | 2.2V |
| الجهد - الدولة معطلة: | 600V |
| الجهد - بوابة الزناد (فحكت) (ماكس): | 800mV |
| تجار الأجهزة حزمة: | DPAK |
| سلسلة: | - |
| نوع SCR: | Sensitive Gate |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | MCR708AT4GOS MCR708AT4GOS-ND MCR708AT4GOSTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 110°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 37 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | SCR 600V 4A Sensitive Gate Surface Mount DPAK |
| التيار - في دولة (و(RMS)) (ماكس): | 4A |
| التيار - في دولة (و(AV)) (ماكس): | 1.6A |
| التيار - إيقاف الدولة (ماكس): | 10µA |
| التيار - غير النائب عرام 50، 60HZ (إدارة خدمات تكنولوجيا المعلومات): | 25A @ 60Hz |
| الحالي - عقد (ايه) (ماكس): | 5mA |
| الحالي - بوابة الزناد (IGT) (ماكس): | 75µA |
| رقم جزء القاعدة: | MCR708A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMCR708AT4G
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة