MCH6660-TL-W متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MCH6660-TL-W، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MCH6660-TL-W عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MCH6660-TL-W مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MCH6660-TL-W
- رقم القطعة:
- MCH6660-TL-W
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 44989 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MCH6660-TL-W.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.3V @ 1mA |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-MCPH |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 136 mOhm @ 1A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 800mW |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 6-SMD, Flat Leads |
| اسماء اخرى: | MCH6660-TL-WOSCT |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 9 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 128pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 1.8nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 2A, 1.5A 800mW Surface Mount 6-MCPH |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2A, 1.5A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMCH6660-TL-W
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC