MC33363BDWR2G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MC33363BDWR2G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MC33363BDWR2G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MC33363BDWR2G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MC33363BDWR2G
- رقم القطعة:
- MC33363BDWR2G
- وصف:
- IC OFFLINE SWIT PWM HV 16SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 38811 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MC33363BDWR2G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | 9.5 V ~ 40 V |
| الجهد - البدء: | 15.2V |
| الجهد - انهيار: | 700V |
| البنية: | Flyback, Forward |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-SOIC |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 13 Leads |
| الناتج عزل: | Isolated |
| اسماء اخرى: | MC33363BDWR2GOSCT |
| درجة حرارة التشغيل: | -25°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تحويل داخلي (ق): | Yes |
| تردد - التبديل: | 67.5kHz ~ 285kHz |
| حماية الأخطاء: | Current Limiting, Over Temperature, Over Voltage |
| دورة واجب: | 50% |
| وصف تفصيلي: | Converter Offline Flyback, Forward Topology 67.5kHz ~ 285kHz 16-SOIC |
| ميزات التحكم: | Frequency Control |
| رقم جزء القاعدة: | MC33363B |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMC33363BDWR2G
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC