MC14023BDR2 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MC14023BDR2، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MC14023BDR2 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MC14023BDR2 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MC14023BDR2
- رقم القطعة:
- MC14023BDR2
- وصف:
- IC GATE NAND 3CH 3-INP 14SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 59595 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MC14023BDR2.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 3 V ~ 18 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 14-SOIC |
| سلسلة: | 4000B |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | MC14023BDR2OSCT |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| عدد من المدخلات: | 3 |
| عدد الدوائر: | 3 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ماكس تأخير نشر @ V، ماكس CL: | 100ns @ 15V, 50pF |
| نوع المنطق: | NAND Gate |
| مستوى المنطق - انخفاض: | 1.5 V ~ 4 V |
| مستوى المنطق - الأعلى: | 3.5 V ~ 11 V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | NAND Gate IC 3 Channel 14-SOIC |
| الحالي - هادئة (ماكس): | 1µA |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 8.8mA, 8.8mA |
| رقم جزء القاعدة: | 4023 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMC14023BDR2
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM