MC10E404FNR2G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MC10E404FNR2G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MC10E404FNR2G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MC10E404FNR2G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MC10E404FNR2G
- رقم القطعة:
- MC10E404FNR2G
- وصف:
- IC GATE AND/NAND QD DIFF 28-PLCC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 47731 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MC10E404FNR2G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 4.2 V ~ 5.7 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 28-PLCC (11.51x11.51) |
| سلسلة: | 10E |
| شميت الزناد الإدخال: | No |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 28-LCC (J-Lead) |
| نوع المخرجات: | Differential |
| درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 85°C |
| عدد من المدخلات: | 10 Input (2, 2, 2, 2, 2) |
| عدد الدوائر: | 4 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| نوع المنطق: | AND/NAND Gate |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | AND/NAND Gate Configurable 4 Circuit 10 Input (2, 2, 2, 2, 2) Input 28-PLCC (11.51x11.51) |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | - |
| رقم جزء القاعدة: | 10E404 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMC10E404FNR2G
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار