MBR2045CT متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MBR2045CT، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MBR2045CT عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MBR2045CT مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MBR2045CT
- رقم القطعة:
- MBR2045CT
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 36241 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.MBR2045CT.pdf2.MBR2045CT.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Schottky |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1 Pair Common Cathode |
| الجهد - انهيار: | TO-220-3 |
| سرعة: | 20A |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tube |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| الاستقطاب: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | MBR2045CT-ND MBR2045CTFS |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MBR2045CT |
| وصف موسع: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45V 20A Through Hole TO-220-3 |
| تكوين الصمام الثنائي: | 100µA @ 45V |
| وصف: | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 840mV @ 20A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 45V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -65°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMBR2045CT
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU