MBR2035CT-1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MBR2035CT-1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MBR2035CT-1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MBR2035CT-1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MBR2035CT-1
- رقم القطعة:
- MBR2035CT-1
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO262
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 32150 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MBR2035CT-1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 840mV @ 20A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 35V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-262 |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| اسماء اخرى: | VS-MBR2035CT-1 VS-MBR2035CT-1-ND VSMBR2035CT-1 VSMBR2035CT-1-ND |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Schottky |
| تكوين الصمام الثنائي: | 1 Pair Common Cathode |
| وصف تفصيلي: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35V 10A Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 100µA @ 35V |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 10A |
| رقم جزء القاعدة: | MBR2035CT |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMBR2035CT-1
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU