MAZ210000G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MAZ210000G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MAZ210000G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MAZ210000G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MAZ210000G
- رقم القطعة:
- MAZ210000G
- الصانع:
- Panasonic
- وصف:
- DIODE ZENER 10V 1W DO41
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 59440 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MAZ210000G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - زينر (الإسمي) (فز): | 10V |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1V @ 200mA |
| تسامح: | ±6% |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO41-A1 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 1W |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| اسماء اخرى: | MAZ210000GCT |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مقاومة (ماكس) (Zzt): | 6 Ohms |
| وصف تفصيلي: | Zener Diode 10V 1W ±6% Through Hole DO41-A1 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 7V |
| رقم جزء القاعدة: | MAZ210 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMAZ210000G
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل