MAX8552ETB+T متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MAX8552ETB+T، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MAX8552ETB+T عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MAX8552ETB+T مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MAX8552ETB+T
- رقم القطعة:
- MAX8552ETB+T
- الصانع:
- Maxim Integrated
- وصف:
- IC DRIVER MOSFET HS 10-TDFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 21519 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.MAX8552ETB+T.pdf2.MAX8552ETB+T.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 4.5 V ~ 6.5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 10-TDFN (3x3) |
| سلسلة: | - |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 14ns, 9ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 10-WFDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | MAX8552ETB+T-ND MAX8552ETB+TTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تردد الإدخال: | 2 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| المنطق الجهد - فيل، فيه: | 0.8V, 2.5V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Non-Inverting |
| نوع البوابة: | N-Channel MOSFET |
| تكوين مدفوعة: | Half-Bridge |
| وصف تفصيلي: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 10-TDFN (3x3) |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة): | - |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Synchronous |
| رقم جزء القاعدة: | MAX8552 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMAX8552ETB+T
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة