MAX620CPN+ متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MAX620CPN+، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MAX620CPN+ عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MAX620CPN+ مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MAX620CPN+
- رقم القطعة:
- MAX620CPN+
- الصانع:
- Maxim Integrated
- وصف:
- IC DRVR MOSFET QUAD 18-DIP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 42142 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.MAX620CPN+.pdf2.MAX620CPN+.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 4.5 V ~ 16.5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 18-PDIP |
| سلسلة: | - |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 1.7µs, 2.5µs |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 18-DIP (0.300", 7.62mm) |
| درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| تردد الإدخال: | 4 |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| المنطق الجهد - فيل، فيه: | 0.8V, 2.4V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Non-Inverting |
| نوع البوابة: | N-Channel MOSFET |
| تكوين مدفوعة: | High-Side |
| وصف تفصيلي: | High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 18-PDIP |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة): | - |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Independent |
| رقم جزء القاعدة: | MAX620 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMAX620CPN+
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MAX619ESA-T | Maxim Integrated | IC REG SWTCHD CAP 5V 50MA 8SOIC | تحقيق |
|
MAX619EPA+ | Maxim Integrated | IC REG CHARGE PUMP 5V 50MA 8DIP | تحقيق |
 |
MAX620CWN+T | Maxim Integrated | IC DRVR MOSFET QUAD 18-SOIC | تحقيق |
|
MAX621CPN | Maxim Integrated | IC DVR MOSFET QUAD HI-SIDE 18DIP | تحقيق |
|
MAX620CWN+ | Maxim Integrated | IC DRVR MOSFET QUAD 18-SOIC | تحقيق |
|
MAX619CSA+T | Maxim Integrated | IC REG SWTCHD CAP 5V 50MA 8SOIC | تحقيق |
|
MAX620EWN+ | Maxim Integrated | IC DRVR MOSFET QUAD 18-SOIC | تحقيق |
|
MAX619ESA+T | Maxim Integrated | IC REG SWTCHD CAP 5V 50MA 8SOIC | تحقيق |
|
MAX619EPA | Maxim Integrated | IC REG SWTCHD CAP 5V 50MA 8DIP | تحقيق |
|
MAX620EWN+T | Maxim Integrated | IC DRVR MOSFET QUAD 18-SOIC | تحقيق |
|
MAX620CPN | Maxim Integrated | IC DVR QUAD HISIDE MOSFET 18-DIP | تحقيق |
 |
MAX619R00D | Vishay Precision Group | RES 619 OHM 0.5% 0.3W RADIAL | تحقيق |
|
MAX6220ASA-2.5+ | Maxim Integrated | IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC | تحقيق |
|
MAX620EWN | Maxim Integrated | IC DVR QUAD HISIDE MOSFET 18SOIC | تحقيق |
|
MAX620CWN | Maxim Integrated | IC DVR QUAD HISIDE MOSFET 18SOIC | تحقيق |
|
MAX619ESA+ | Maxim Integrated | IC REG SWTCHD CAP 5V 50MA 8SOIC | تحقيق |
|
MAX620EPN | Maxim Integrated | IC DVR QUAD HISIDE MOSFET 18-DIP | تحقيق |
|
MAX61K900D | Vishay Precision Group | RES 61.9K OHM 0.5% 0.3W RADIAL | تحقيق |
|
MAX619ESA | Maxim Integrated | IC REG SWTCHD CAP 5V 50MA 8SOIC | تحقيق |
|
MAX6220ASA-2.5+T | Maxim Integrated | IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل