MAX6071BAUT25+T متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MAX6071BAUT25+T، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MAX6071BAUT25+T عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MAX6071BAUT25+T مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MAX6071BAUT25+T
- رقم القطعة:
- MAX6071BAUT25+T
- الصانع:
- Maxim Integrated
- وصف:
- IC VREF SERIES 2.5V SOT23
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 27488 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.MAX6071BAUT25+T.pdf2.MAX6071BAUT25+T.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - الإخراج (دقيقة / ثابتة): | 2.5V |
| الجهد - الإدخال: | 2.8 V ~ 5.5 V |
| تسامح: | ±0.08% |
| معامل درجة الحرارة: | 8ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23-6 |
| سلسلة: | - |
| نوع الإشارة: | Series |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 |
| نوع المخرجات: | Fixed |
| اسماء اخرى: | MAX6071BAUT25+T-ND MAX6071BAUT25+TTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| الضوضاء - 10HZ إلى 10KHZ: | 6µVrms |
| الضوضاء - 0.1Hz إلى 10HZ: | 4.8µVp-p |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | Series Voltage Reference IC ±0.08% 10mA SOT-23-6 |
| الحالي - توريد: | 300µA |
| الحالي - الناتج: | 10mA |
| رقم جزء القاعدة: | MAX6071 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMAX6071BAUT25+T
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC