MAX4737EBE-T متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MAX4737EBE-T، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MAX4737EBE-T عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MAX4737EBE-T مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MAX4737EBE-T
- رقم القطعة:
- MAX4737EBE-T
- الصانع:
- Maxim Integrated
- وصف:
- IC SWITCH QUAD SPST 16UCSP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 50455 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MAX4737EBE-T.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| فولتاج - سوبلي، سينغل (V +): | 1.8 V ~ 5.5 V |
| الجهد - العرض، المزدوج (V ±): | - |
| وقت التبديل (طن، توف) (ماكس): | 80ns, 40ns |
| تبديل الدائرة: | SPST - NO |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-UCSP (2x2) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 16-WFBGA, CSPBGA |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| مقاومة الدولة (ماكس): | 4.5 Ohm |
| عدد الدوائر: | 4 |
| مضاعف / ديمولتيبليكسر الدائرة: | 1:1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | 4 Circuit IC Switch 1:1 4.5 Ohm 16-UCSP (2x2) |
| الحالي - التسرب (إس (إيقاف)) (ماكس): | 500pA |
| الحديث المتبادل: | -110dB @ 1MHz |
| شحن الحقن: | 5pC |
| مطابقة القناة إلى القناة (ΔRon): | 100 mOhm |
| قناة السعة (كس (إيقاف)، سد (إيقاف)): | 9pF |
| رقم جزء القاعدة: | MAX4737 |
| -3DB عرض النطاق الترددي: | 300MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMAX4737EBE-T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MAX473CPA | Maxim Integrated | IC OPAMP GP 12MHZ RRO 8DIP | تحقيق |
 |
MAX4739EBE+T | Maxim Integrated | IC SWITCH QUAD SPST 16UCSP | تحقيق |
 |
MAX4736EGC+ | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPDT 12QFN | تحقيق |
 |
MAX4738EUD+T | Maxim Integrated | IC SWITCH QUAD SPST 14TSSOP | تحقيق |
 |
MAX4736EUB+T | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPDT 10UMAX | تحقيق |
|
MAX473CSA+ | Maxim Integrated | IC OPAMP GP 12MHZ RRO 8SOIC | تحقيق |
|
MAX4736ETC+T | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPDT 12TQFN | تحقيق |
|
MAX473CPA+ | Maxim Integrated | IC OPAMP GP 12MHZ RRO 8DIP | تحقيق |
|
MAX4735ETE+ | Maxim Integrated | IC ANLG SWITCH QUAD SPDT TQFN | تحقيق |
|
MAX4736EUB+ | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPDT 10UMAX | تحقيق |
|
MAX4735EUE+ | Maxim Integrated | IC ANLG SWITCH QUAD SPDT TQFN | تحقيق |
|
MAX4737EUD+T | Maxim Integrated | IC SWITCH QUAD SPST 14TSSOP | تحقيق |
 |
MAX4736ELB+T | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPDT 10UDFN | تحقيق |
|
MAX4737EUD+ | Maxim Integrated | IC SWITCH QUAD SPST 14TSSOP | تحقيق |
|
MAX473CSA | Maxim Integrated | IC OPAMP GP 12MHZ RRO 8SOIC | تحقيق |
|
MAX4738EUD+ | Maxim Integrated | IC SWITCH QUAD SPST 14TSSOP | تحقيق |
|
MAX473EPA | Maxim Integrated | IC OPAMP GP 12MHZ RRO 8DIP | تحقيق |
|
MAX4736ETC+ | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPDT 12TQFN | تحقيق |
|
MAX4737EBE+T | Maxim Integrated | IC SWITCH QUAD SPST 16UCSP | تحقيق |
|
MAX4736EGC+T | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPDT 12QFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل