MAX4711EPE متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MAX4711EPE، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MAX4711EPE عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MAX4711EPE مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MAX4711EPE
- رقم القطعة:
- MAX4711EPE
- الصانع:
- Maxim Integrated
- وصف:
- IC SW QUAD ANLG SPST R/R 16-DIP
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 48727 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.MAX4711EPE.pdf2.MAX4711EPE.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| فولتاج - سوبلي، سينغل (V +): | 2.7 V ~ 11 V |
| الجهد - العرض، المزدوج (V ±): | ±2.7 V ~ 5.5 V |
| وقت التبديل (طن، توف) (ماكس): | 125ns, 80ns |
| تبديل الدائرة: | SPST - NC |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-PDIP |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| مقاومة الدولة (ماكس): | 25 Ohm |
| عدد الدوائر: | 4 |
| مضاعف / ديمولتيبليكسر الدائرة: | 1:1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| وصف تفصيلي: | 4 Circuit IC Switch 1:1 25 Ohm 16-PDIP |
| الحالي - التسرب (إس (إيقاف)) (ماكس): | 500pA |
| الحديث المتبادل: | -87dB @ 1MHz |
| شحن الحقن: | 25pC |
| مطابقة القناة إلى القناة (ΔRon): | 200 mOhm |
| قناة السعة (كس (إيقاف)، سد (إيقاف)): | 8pF, 8pF |
| رقم جزء القاعدة: | MAX4711 |
| -3DB عرض النطاق الترددي: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMAX4711EPE
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MAX4711EUE | Maxim Integrated | IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP | تحقيق |
|
MAX4712CPE+ | Maxim Integrated | IC ANALOG SW SPST R-R QUAD 16DIP | تحقيق |
 |
MAX4711CSE+T | Maxim Integrated | IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC | تحقيق |
|
MAX4711CUE | Maxim Integrated | IC SW QUAD ANLG SPST R/R 16TSSOP | تحقيق |
|
MAX4709EPE | Maxim Integrated | IC MUX 8-1 DUAL 4-1 16DIP | تحقيق |
|
MAX4712CUE | Maxim Integrated | IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP | تحقيق |
|
MAX4711CSE | Maxim Integrated | IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC | تحقيق |
|
MAX4709ESE+ | Maxim Integrated | IC MULTIPLEXER DUAL 4X1 16SOIC | تحقيق |
|
MAX4708ESE+ | Maxim Integrated | IC MULTIPLEXER 8X1 16SOIC | تحقيق |
|
MAX4708ESE+T | Maxim Integrated | IC MULTIPLEXER 8X1 16SOIC | تحقيق |
|
MAX4711CSE+ | Maxim Integrated | IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC | تحقيق |
|
MAX4711EUE+T | Maxim Integrated | IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP | تحقيق |
|
MAX4711EUE+ | Maxim Integrated | IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP | تحقيق |
|
MAX4712CSE+T | Maxim Integrated | IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC | تحقيق |
|
MAX4712CPE | Maxim Integrated | IC SW QUAD ANLG SPST R/R 16-DIP | تحقيق |
|
MAX4712CSE | Maxim Integrated | IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC | تحقيق |
|
MAX4712CSE+ | Maxim Integrated | IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC | تحقيق |
|
MAX4711ESE | Maxim Integrated | IC SW QUAD ANLG SPST R/R 16-SOIC | تحقيق |
|
MAX4709ESE+T | Maxim Integrated | IC MULTIPLEXER DUAL 4X1 16SOIC | تحقيق |
|
MAX4708EPE+ | Maxim Integrated | IC MULTIPLEXER 8X1 16DIP | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل