MAX4693EGE-T متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MAX4693EGE-T، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MAX4693EGE-T عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MAX4693EGE-T مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MAX4693EGE-T
- رقم القطعة:
- MAX4693EGE-T
- الصانع:
- Maxim Integrated
- وصف:
- IC SWITCH TRIPLE SPDT 16QFN
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 24090 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.MAX4693EGE-T.pdf2.MAX4693EGE-T.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| فولتاج - سوبلي، سينغل (V +): | 2.7 V ~ 11 V |
| الجهد - العرض، المزدوج (V ±): | ±2 V ~ 5.5 V |
| وقت التبديل (طن، توف) (ماكس): | 300ns, 100ns |
| تبديل الدائرة: | SPDT |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-QFN-EP (4x4) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 16-VQFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | MAX4693EGET |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| مقاومة الدولة (ماكس): | 70 Ohm |
| عدد الدوائر: | 3 |
| مضاعف / ديمولتيبليكسر الدائرة: | 2:1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| وصف تفصيلي: | 3 Circuit IC Switch 2:1 70 Ohm 16-QFN-EP (4x4) |
| الحالي - التسرب (إس (إيقاف)) (ماكس): | 1nA |
| الحديث المتبادل: | -75dB @ 100kHz |
| شحن الحقن: | 0.1pC |
| مطابقة القناة إلى القناة (ΔRon): | 2 Ohm |
| قناة السعة (كس (إيقاف)، سد (إيقاف)): | 9pF, 68pF |
| رقم جزء القاعدة: | MAX4693 |
| -3DB عرض النطاق الترددي: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMAX4693EGE-T
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة