MAX4685EUB متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MAX4685EUB، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MAX4685EUB عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MAX4685EUB مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MAX4685EUB
- رقم القطعة:
- MAX4685EUB
- الصانع:
- Maxim Integrated
- وصف:
- IC SWITCH DUAL SPDT 10UMAX
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 33414 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.MAX4685EUB.pdf2.MAX4685EUB.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| فولتاج - سوبلي، سينغل (V +): | 1.8 V ~ 5.5 V |
| الجهد - العرض، المزدوج (V ±): | - |
| وقت التبديل (طن، توف) (ماكس): | 50ns, 30ns |
| تبديل الدائرة: | SPDT |
| تجار الأجهزة حزمة: | 10-uMAX |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| مقاومة الدولة (ماكس): | 800 mOhm |
| عدد الدوائر: | 2 |
| مضاعف / ديمولتيبليكسر الدائرة: | 2:1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| وصف تفصيلي: | 2 Circuit IC Switch 2:1 800 mOhm 10-uMAX |
| الحالي - التسرب (إس (إيقاف)) (ماكس): | 1nA |
| الحديث المتبادل: | -68dB @ 100kHz |
| شحن الحقن: | 200pC |
| مطابقة القناة إلى القناة (ΔRon): | 60 mOhm |
| قناة السعة (كس (إيقاف)، سد (إيقاف)): | 84pF, 37pF |
| رقم جزء القاعدة: | MAX4685 |
| -3DB عرض النطاق الترددي: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMAX4685EUB
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MAX4684EUB+T | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPDT 10UMAX | تحقيق |
 |
MAX4685ETB+ | Maxim Integrated | IC ANLG SWITCH SPDT DUAL TDFN | تحقيق |
 |
MAX4690CWE+ | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPST 16SOIC | تحقيق |
 |
MAX4684ETB+T | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPDT 10TDFN | تحقيق |
|
MAX4684EUB+ | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPDT 10UMAX | تحقيق |
|
MAX4685EUB+T | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPDT 10UMAX | تحقيق |
|
MAX4690CWE+T | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPST 16SOIC | تحقيق |
 |
MAX4688EBT+T | Maxim Integrated | IC SWITCH SPDT 6UCSP | تحقيق |
|
MAX4690CPE+ | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPST 16DIP | تحقيق |
|
MAX4690CPE | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPST 16DIP | تحقيق |
|
MAX4690CAE | Maxim Integrated | IC SW DUAL 1.25 OHM SPST 16-SSOP | تحقيق |
|
MAX4680EWE | Maxim Integrated | IC SW DUAL 1.25 OHM SPST 16-SOIC | تحقيق |
 |
MAX4688EWT+T | Maxim Integrated | IC ANALOG SWITCH SPDT LV WLP | تحقيق |
 |
MAX4684EBC+T | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPDT 12UCSP | تحقيق |
|
MAX4685EUB+ | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPDT 10UMAX | تحقيق |
|
MAX4685ETB+T | Maxim Integrated | IC ANLG SWITCH SPDT DUAL TDFN | تحقيق |
|
MAX4680EAE+T | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPST 16SSOP | تحقيق |
|
MAX4680EPE | Maxim Integrated | IC SW DUAL 1.25 OHM SPST 16-DIP | تحقيق |
|
MAX4690CWE | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPST 16SOIC | تحقيق |
|
MAX4685EBC+T | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPDT 12UCSP | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل