MAX4461TEUT-T متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MAX4461TEUT-T، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MAX4461TEUT-T عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MAX4461TEUT-T مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MAX4461TEUT-T
- رقم القطعة:
- MAX4461TEUT-T
- الصانع:
- Maxim Integrated
- وصف:
- IC OPAMP INSTR 2.5MHZ SOT23-6
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 42758 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.MAX4461TEUT-T.pdf2.MAX4461TEUT-T.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العرض، واحد / المزدوج (±): | 2.85 V ~ 5.25 V |
| الجهد - الإدخال أوفست: | 50µV |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23-6 |
| معدل الانحراف: | 0.5 V/µs |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 |
| نوع المخرجات: | Rail-to-Rail |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد الدوائر: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مكاسب عرض النطاق الترددي المنتج: | 2.5MHz |
| وصف تفصيلي: | Instrumentation Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail SOT-23-6 |
| الحالي - توريد: | 800µA |
| الحالي - إخراج / قناة: | 150mA |
| الحالي - التحيز الإدخال: | 1pA |
| رقم جزء القاعدة: | MAX4461 |
| نوع مكبر للصوت: | Instrumentation |
| -3DB عرض النطاق الترددي: | 250kHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMAX4461TEUT-T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MAX4461UESA+ | Maxim Integrated | IC OPAMP INSTR 2.5MHZ RRO 8SOIC | تحقيق |
|
MAX4461UESA+T | Maxim Integrated | IC OPAMP INSTR 2.5MHZ RRO 8SOIC | تحقيق |
|
MAX4460EUT+T | Maxim Integrated | IC OPAMP INSTR 2.5MHZ SOT23-6 | تحقيق |
 |
MAX4462HETT+T | Maxim Integrated | IC OPAMP INSTR 2.5MHZ RRO 6TDFN | تحقيق |
|
MAX4461TETT+T | Maxim Integrated | IC OPAMP INSTR 2.5MHZ RRO 6TDFN | تحقيق |
|
MAX4461UESA-T | Maxim Integrated | IC OPAMP INSTR 2.5MHZ RRO 8SOIC | تحقيق |
|
MAX4461HEUT-T | Maxim Integrated | IC OPAMP INSTR 2.5MHZ RRO 6SOT | تحقيق |
|
MAX4462HESA+T | Maxim Integrated | IC OPAMP INSTR 2.5MHZ RRO 8SOIC | تحقيق |
|
MAX4461TESA+ | Maxim Integrated | IC OPAMP INSTR 2.5MHZ RRO 8SOIC | تحقيق |
|
MAX4461TEUT+T | Maxim Integrated | IC OPAMP INSTR 2.5MHZ SOT23-6 | تحقيق |
|
MAX4461UETT+T | Maxim Integrated | IC OPAMP INSTR 2.5MHZ RRO 6TDFN | تحقيق |
|
MAX4461HESA | Maxim Integrated | IC OPAMP INSTR 2.5MHZ RRO 8SOIC | تحقيق |
|
MAX4461HETT+T | Maxim Integrated | IC OPAMP INSTR 2.5MHZ RRO 6TDFN | تحقيق |
|
MAX4461TESA+T | Maxim Integrated | IC OPAMP INSTR 2.5MHZ RRO 8SOIC | تحقيق |
|
MAX4462HESA+ | Maxim Integrated | IC OPAMP INSTR 2.5MHZ RRO 8SOIC | تحقيق |
|
MAX4461TESA-T | Maxim Integrated | IC OPAMP INSTR 2.5MHZ RRO 8SOIC | تحقيق |
|
MAX4461UEUT-T | Maxim Integrated | IC OPAMP INSTR 2.5MHZ SOT23-6 | تحقيق |
|
MAX4461TESA | Maxim Integrated | IC OPAMP INSTR 2.5MHZ RRO 8SOIC | تحقيق |
|
MAX4462HEUT+T | Maxim Integrated | IC OPAMP INSTR 2.5MHZ SOT23-6 | تحقيق |
|
MAX4461UESA | Maxim Integrated | IC OPAMP INSTR 2.5MHZ RRO 8SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل