MAX4204ESA+T متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MAX4204ESA+T، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MAX4204ESA+T عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MAX4204ESA+T مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MAX4204ESA+T
- رقم القطعة:
- MAX4204ESA+T
- الصانع:
- Maxim Integrated
- وصف:
- IC OPAMP BUFFER 720MHZ 8SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 57515 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.MAX4204ESA+T.pdf2.MAX4204ESA+T.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العرض، واحد / المزدوج (±): | ±4 V ~ 5.5 V |
| الجهد - الإدخال أوفست: | 1mV |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| معدل الانحراف: | 4200 V/µs |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| نوع المخرجات: | - |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد الدوائر: | 2 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | Buffer Amplifier 2 Circuit 8-SOIC |
| الحالي - توريد: | 2.2mA |
| الحالي - إخراج / قناة: | 52mA |
| الحالي - التحيز الإدخال: | 800nA |
| رقم جزء القاعدة: | MAX4204 |
| نوع مكبر للصوت: | Buffer |
| -3DB عرض النطاق الترددي: | 720MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMAX4204ESA+T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MAX4204ESA | Maxim Integrated | IC OPAMP BUFFER 720MHZ 8SOIC | تحقيق |
 |
MAX4205EUA+T | Maxim Integrated | IC OPAMP BUFFER 720MHZ 8UMAX | تحقيق |
|
MAX4203EUA+ | Maxim Integrated | IC OPAMP BUFFER 530MHZ 8UMAX | تحقيق |
|
MAX4204ESA+ | Maxim Integrated | IC OPAMP BUFFER 720MHZ 8SOIC | تحقيق |
|
MAX4204EUA+ | Maxim Integrated | IC OPAMP BUFFER 720MHZ 8UMAX | تحقيق |
|
MAX4204ESA-T | Maxim Integrated | IC OPAMP BUFFER 720MHZ 8SOIC | تحقيق |
|
MAX4204EUA-T | Maxim Integrated | IC OPAMP BUFFER 720MHZ 8UMAX | تحقيق |
|
MAX4205EUA+ | Maxim Integrated | IC OPAMP BUFFER 720MHZ 8UMAX | تحقيق |
|
MAX4203ESA+T | Maxim Integrated | IC OPAMP BUFFER 530MHZ 8SOIC | تحقيق |
|
MAX4203EUA+T | Maxim Integrated | IC OPAMP BUFFER 530MHZ 8UMAX | تحقيق |
|
MAX4204EUA | Maxim Integrated | IC OPAMP BUFFER 720MHZ 8UMAX | تحقيق |
 |
MAX4202EUK-T | Maxim Integrated | IC OPAMP BUFFER 780MHZ SOT23-5 | تحقيق |
|
MAX4203ESA+ | Maxim Integrated | IC OPAMP BUFFER 530MHZ 8SOIC | تحقيق |
|
MAX4204EUA+T | Maxim Integrated | IC OPAMP BUFFER 720MHZ 8UMAX | تحقيق |
|
MAX4205EUA | Maxim Integrated | IC OPAMP BUFFER 720MHZ 8UMAX | تحقيق |
|
MAX4205ESA-T | Maxim Integrated | IC OPAMP BUFFER 720MHZ 8SOIC | تحقيق |
|
MAX4202EUK+T | Maxim Integrated | IC OPAMP BUFFER 780MHZ SOT23-5 | تحقيق |
|
MAX4203EUA | Maxim Integrated | IC OPAMP BUFFER 530MHZ 8UMAX | تحقيق |
|
MAX4203ESA | Maxim Integrated | IC OPAMP BUFFER 530MHZ 8SOIC | تحقيق |
|
MAX4205ESA | Maxim Integrated | IC OPAMP BUFFER 720MHZ 8SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل