MAX4163ESA متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MAX4163ESA، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MAX4163ESA عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MAX4163ESA مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MAX4163ESA
- رقم القطعة:
- MAX4163ESA
- الصانع:
- Maxim Integrated
- وصف:
- IC OPAMP GP 200KHZ RRO 8SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 55886 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.MAX4163ESA.pdf2.MAX4163ESA.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العرض، واحد / المزدوج (±): | 2.7 V ~ 10 V, ±1.35 V ~ 5 V |
| الجهد - الإدخال أوفست: | 500µV |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| معدل الانحراف: | 0.115 V/µs |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| نوع المخرجات: | Rail-to-Rail |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد الدوائر: | 2 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| مكاسب عرض النطاق الترددي المنتج: | 200kHz |
| وصف تفصيلي: | General Purpose Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC |
| الحالي - توريد: | 25µA |
| الحالي - إخراج / قناة: | 15mA |
| الحالي - التحيز الإدخال: | 1pA |
| رقم جزء القاعدة: | MAX4163 |
| نوع مكبر للصوت: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMAX4163ESA
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MAX4159ESD+T | Maxim Integrated | IC VIDEO MUX/AMP 2CH 14-SOIC | تحقيق |
|
MAX4163ESA+ | Maxim Integrated | IC OPAMP GP 200KHZ RRO 8SOIC | تحقيق |
 |
MAX4162EUK-T | Maxim Integrated | IC OPAMP GP 200KHZ RRO SOT23-5 | تحقيق |
 |
MAX4163EBL+T | Maxim Integrated | IC OPAMP GP 200KHZ RRO 9UCSP | تحقيق |
|
MAX4164ESD | Maxim Integrated | IC OPAMP GP 200KHZ RRO 14SOIC | تحقيق |
|
MAX4162ESA | Maxim Integrated | IC OPAMP GP 200KHZ RRO 8SOIC | تحقيق |
|
MAX4162ESA+ | Maxim Integrated | IC OPAMP GP 200KHZ RRO 8SOIC | تحقيق |
|
MAX4164ESD+T | Maxim Integrated | IC OPAMP GP 200KHZ RRO 14SOIC | تحقيق |
|
MAX4163ESA+T | Maxim Integrated | IC OPAMP GP 200KHZ RRO 8SOIC | تحقيق |
|
MAX4163ESA-T | Maxim Integrated | IC OPAMP GP 200KHZ RRO 8SOIC | تحقيق |
|
MAX4162EUK+T | Maxim Integrated | IC OPAMP GP 200KHZ RRO SOT23-5 | تحقيق |
 |
MAX4163EUA+ | Maxim Integrated | IC OPAMP GP 200KHZ RRO 8UMAX | تحقيق |
|
MAX4162ESA+T | Maxim Integrated | IC OPAMP GP 200KHZ RRO 8SOIC | تحقيق |
|
MAX4163EUA | Maxim Integrated | IC OPAMP GP 200KHZ RRO 8UMAX | تحقيق |
|
MAX4164ESD+ | Maxim Integrated | IC OPAMP GP 200KHZ RRO 14SOIC | تحقيق |
 |
MAX4159EEE+T | Maxim Integrated | IC VIDEO MUX/AMP 2CH 16-QSOP | تحقيق |
|
MAX4163EUA-T | Maxim Integrated | IC OPAMP MICPWR R-TO-R 8-MSOP | تحقيق |
|
MAX4163EUA+T | Maxim Integrated | IC OPAMP GP 200KHZ RRO 8UMAX | تحقيق |
|
MAX4162ESA-T | Maxim Integrated | IC OPAMP GP 200KHZ RRO 8SOIC | تحقيق |
|
MAX4159ESD+ | Maxim Integrated | IC VIDEO MUX/AMP 2CH 14-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل