MAX40005ANS05+T متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MAX40005ANS05+T، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MAX40005ANS05+T عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MAX40005ANS05+T مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MAX40005ANS05+T
- رقم القطعة:
- MAX40005ANS05+T
- الصانع:
- Maxim Integrated
- وصف:
- IC COMPARATOR VR OPEN DRAIN 4WLP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 30346 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MAX40005ANS05+T.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العرض، واحد / المزدوج (±): | 1.7 V ~ 5.5 V |
| الجهد - الإدخال أوفست (ماكس): | 10mV @ 3.3V |
| اكتب: | with Voltage Reference |
| سلسلة: | - |
| تأخير نشر (ماكس): | 9µs (Typ) |
| نوع المخرجات: | Push-Pull |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد من عناصر: | 1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| التخلفية نزعة المادة الممغنطة إلي البقاء في حالة مغناطيسية: | 8mV |
| وصف تفصيلي: | Comparator with Voltage Reference Push-Pull |
| الحالي - هادئة (ماكس): | 1.1µA |
| الحالي - الإخراج (الطباع): | - |
| الحالي - الإدخال التحيز (ماكس): | 30nA |
| CMRR، PSRR (الطباع): | 70dB PSRR (Min) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMAX40005ANS05+T
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل