MAX17605ASA+ متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MAX17605ASA+، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MAX17605ASA+ عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MAX17605ASA+ مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MAX17605ASA+
- رقم القطعة:
- MAX17605ASA+
- الصانع:
- Maxim Integrated
- وصف:
- IC MOSFET DRVR 4A DUAL 8SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 53781 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.MAX17605ASA+.pdf2.MAX17605ASA+.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 4 V ~ 14 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| سلسلة: | - |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 40ns, 25ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تردد الإدخال: | 2 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| المنطق الجهد - فيل، فيه: | 2V, 4.25V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Inverting, Non-Inverting |
| نوع البوابة: | IGBT, SiC MOSFET |
| تكوين مدفوعة: | Low-Side |
| وصف تفصيلي: | Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة): | 4A, 4A |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Independent |
| رقم جزء القاعدة: | MAX17605 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMAX17605ASA+
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MAX17609ATC+ | Maxim Integrated | IC 1A OVP/OVC REV PROTECT TDFN | تحقيق |
 |
MAX17606AZT+ | Maxim Integrated | IC SECONDARY SIDE CTRLR 6-TSOT23 | تحقيق |
 |
MAX17603ATA+T | Maxim Integrated | IC MOSFET DRVR 4A DUAL 8TDFN | تحقيق |
|
MAX17603AUA+T | Maxim Integrated | IC MOSFET DRVR 4A DUAL 8UMAX | تحقيق |
|
MAX17604AUA+T | Maxim Integrated | IC MOSFET DRVR 4A DUAL 8UMAX | تحقيق |
|
MAX17603ASA+ | Maxim Integrated | IC MOSFET DRVR 4A DUAL 8SOIC | تحقيق |
|
MAX17604AUA+ | Maxim Integrated | IC MOSFET DRVR 4A DUAL 8UMAX | تحقيق |
|
MAX17605AUA+T | Maxim Integrated | IC MOSFET DRVR 4A DUAL 8UMAX | تحقيق |
|
MAX17609ATC+T | Maxim Integrated | INDUSTRIAL 1A OVER-CURRENT AND O | تحقيق |
|
MAX17604ASA+T | Maxim Integrated | IC MOSFET DRVR 4A DUAL 8SOIC | تحقيق |
|
MAX17604ATA+T | Maxim Integrated | IC MOSFET DRVR 4A DUAL 8TDFN | تحقيق |
|
MAX17605ATA+T | Maxim Integrated | IC MOSFET DRVR 4A DUAL 8TDFN | تحقيق |
|
MAX17605ASA+T | Maxim Integrated | IC MOSFET DRVR 4A DUAL 8SOIC | تحقيق |
|
MAX17608ATC+T | Maxim Integrated | INDUSTRIAL 1A OVER-CURRENT AND O | تحقيق |
|
MAX17605AUA+ | Maxim Integrated | IC MOSFET DRVR 4A DUAL 8UMAX | تحقيق |
|
MAX17606AZT+T | Maxim Integrated | IC SECONDARY SIDE CTRLR 6-TSOT23 | تحقيق |
|
MAX17603AUA+ | Maxim Integrated | IC MOSFET DRVR 4A DUAL 8UMAX | تحقيق |
|
MAX17608ATC+ | Maxim Integrated | IC 1A OVP/OVC REV PROTECT TDFN | تحقيق |
|
MAX17603ASA+T | Maxim Integrated | IC MOSFET DRVR 4A DUAL 8SOIC | تحقيق |
|
MAX17604ASA+ | Maxim Integrated | IC MOSFET DRVR 4A DUAL 8SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل