MAL219816151E3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MAL219816151E3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MAL219816151E3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MAL219816151E3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MAL219816151E3
- رقم القطعة:
- MAL219816151E3
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- CAP ALUM 150UF 20% 400V SNAP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 24013 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.MAL219816151E3.pdf2.MAL219816151E3.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 400V |
| تسامح: | ±20% |
| السطح حجم جبل لاند: | - |
| حجم / البعد: | 0.984" Dia (25.00mm) |
| سلسلة: | 198 PHR-SI |
| تموج الحالي @ منخفض التردد: | 1.33A @ 100Hz |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | Polar |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Radial, Can - Snap-In - 3 Lead |
| درجة حرارة التشغيل: | -25°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 15000 Hrs @ 85°C |
| تباعد الرصاص: | 0.394" (10.00mm) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مقاومة: | 363 mOhms |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 1.457" (37.00mm) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 637 mOhm @ 100Hz |
| وصف تفصيلي: | 150µF 400V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 637 mOhm @ 100Hz 15000 Hrs @ 85°C |
| مواسعة: | 150µF |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMAL219816151E3
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC