MAL216099605E3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MAL216099605E3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MAL216099605E3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MAL216099605E3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MAL216099605E3
- رقم القطعة:
- MAL216099605E3
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- CAP ALUM 1500UF 20% 25V SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 34952 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MAL216099605E3.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 25V |
| تسامح: | ±20% |
| السطح حجم جبل لاند: | 0.654" L x 0.654" W (16.60mm x 16.60mm) |
| حجم / البعد: | 0.630" Dia (16.00mm) |
| سلسلة: | 160 CLA |
| تموج الحالي @ عالية التردد: | 1.05A @ 100kHz |
| تصنيفات: | AEC-Q200 |
| الاستقطاب: | Polar |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | Radial, Can - SMD |
| اسماء اخرى: | 4621PHCT |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 2000 Hrs @ 150°C |
| تباعد الرصاص: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مقاومة: | 35 mOhms |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.866" (22.00mm) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | - |
| وصف تفصيلي: | 1500µF 25V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 150°C |
| مواسعة: | 1500µF |
| التطبيقات: | Automotive |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMAL216099605E3
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة