MAL212314102E3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MAL212314102E3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MAL212314102E3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MAL212314102E3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MAL212314102E3
- رقم القطعة:
- MAL212314102E3
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- CAP ALUM 1000UF 20% 10V AXIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 27676 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MAL212314102E3.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 10V |
| تسامح: | ±20% |
| السطح حجم جبل لاند: | - |
| حجم / البعد: | 0.508" Dia x 1.260" L (12.90mm x 32.00mm) |
| سلسلة: | SAL-A 123 |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Box (TB) |
| حزمة / كيس: | Axial, Can |
| اسماء اخرى: | 2222 123 14102 222212314102 2281 123 14102 2281 123 14102-ND 4280PHTB MAL212314102 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 20000 Hrs @ 125°C |
| تباعد الرصاص: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مقاومة: | 200 mOhms |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | - |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 180 mOhm |
| وصف تفصيلي: | 1000µF 10V Aluminum Electrolytic Capacitors Axial, Can 180 mOhm 20000 Hrs @ 125°C |
| مواسعة: | 1000µF |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMAL212314102E3
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة