MA2J1110GL متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MA2J1110GL، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MA2J1110GL عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MA2J1110GL مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MA2J1110GL
- رقم القطعة:
- MA2J1110GL
- الصانع:
- Panasonic
- وصف:
- DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI2
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 55530 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MA2J1110GL.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 100mA (DC) |
| الجهد - انهيار: | SMini2-F3 |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| المقاومة @ إذا، F: | 1.2pF @ 0V, 1MHz |
| الاستقطاب: | SC-90, SOD-323F |
| اسماء اخرى: | MA2J1110GLTR |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 3ns |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | MA2J1110GL |
| وصف موسع: | Diode Standard 80V 100mA (DC) Surface Mount SMini2-F3 |
| تكوين الصمام الثنائي: | 100nA @ 75V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI2 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.2V @ 100mA |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 80V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 150°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMA2J1110GL
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MA2C85600E | Panasonic | DIODE GEN PURP 35V 100MA DO34 | تحقيق |
 |
MA2J1160GL | Panasonic | DIODE GEN PURP 40V 100MA SMINI2 | تحقيق |
 |
MA2C71900A | Panasonic | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA DO34 | تحقيق |
 |
MA2C70000F | Panasonic | DIODE SCHOTTKY 15V 30MA DO34 | تحقيق |
|
MA2J11500L | Panasonic | DIODE GEN PURP 200V 200MA SMINI2 | تحقيق |
|
MA2J11400L | Panasonic | DIODE GEN PURP 150V 200MA SMINI2 | تحقيق |
|
MA2J1120GL | Panasonic Electronic Components | DIODE GEN PURP 40V 200MA SMINI2 | تحقيق |
 |
MA2C85900E | Panasonic | DIODE BAND SWITCHING 35V DO-34 | تحقيق |
|
MA2C700A0F | Panasonic | DIODE SCHOTTKY 30V 30MA DO34 | تحقيق |
|
MA2J11300L | Panasonic | DIODE GEN PURP 80V 200MA SMINI2 | تحقيق |
|
MA2J1150GL | Panasonic | DIODE GEN PURP 200V 200MA SMINI2 | تحقيق |
 |
MA2C19600E | Panasonic | DIODE GEN PURP 50V 100MA DO34 | تحقيق |
|
MA2J1130GL | Panasonic Electronic Components | DIODE GEN PURP 80V 200MA SMINI2 | تحقيق |
|
MA2J11200L | Panasonic | DIODE GEN PURP 40V 200MA SMINI2 | تحقيق |
 |
MA2C8400BF | Panasonic | DIODE VARIABLE CAP 32V DO-34 | تحقيق |
|
MA2J1140GL | Panasonic | DIODE GEN PURP 150V 200MA SMINI2 | تحقيق |
|
MA2J11100L | Panasonic | DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI2 | تحقيق |
|
MA2J11600L | Panasonic | DIODE GEN PURP 40V 100MA SMINI2 | تحقيق |
|
MA2C72300F | Panasonic | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO34 | تحقيق |
|
MA2C85800E | Panasonic | DIODE BAND SWITCHING 35V DO-34 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل