MA2C19500E متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MA2C19500E، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MA2C19500E عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MA2C19500E مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MA2C19500E
- رقم القطعة:
- MA2C19500E
- الصانع:
- Panasonic
- وصف:
- DIODE GEN PURP 35V 100MA DO34
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 55773 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MA2C19500E.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.2V @ 100mA |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 35V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO34-A1 |
| سرعة: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 200µs |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | DO-204AG, DO-34, Axial |
| اسماء اخرى: | MA2C19500ECT |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 200°C (Max) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 35V 100mA Through Hole DO34-A1 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10nA @ 30V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 100mA |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 4pF @ 0V, 1MHz |
| رقم جزء القاعدة: | MA2C195 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMA2C19500E
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MA2C029QAF | Panasonic | DIODE GEN PURP 6V 50MA DO34 | تحقيق |
 |
MA2C18800E | Panasonic | DIODE GEN PURP 200V 200MA DO34 | تحقيق |
 |
MA2C16500E | Panasonic | DIODE GEN PURP 35V 100MA DO34 | تحقيق |
 |
MA2C8400BF | Panasonic | DIODE VARIABLE CAP 32V DO-34 | تحقيق |
 |
MA2C17800E | Panasonic | DIODE GEN PURP 40V 200MA DO34 | تحقيق |
|
MA2C16600E | Panasonic | DIODE GEN PURP 50V 100MA DO34 | تحقيق |
|
MA2C18500E | Panasonic | DIODE GEN PURP 200V 200MA DO34 | تحقيق |
 |
MA2C029WAF | Panasonic | DIODE GEN PURP 6V 100MA DO34 | تحقيق |
 |
MA2C71900A | Panasonic | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA DO34 | تحقيق |
 |
MA2C700A0F | Panasonic | DIODE SCHOTTKY 30V 30MA DO34 | تحقيق |
|
MA2C85600E | Panasonic | DIODE GEN PURP 35V 100MA DO34 | تحقيق |
 |
MA2C19600E | Panasonic | DIODE GEN PURP 50V 100MA DO34 | تحقيق |
|
MA2C72300F | Panasonic | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO34 | تحقيق |
 |
MA2C85900E | Panasonic | DIODE BAND SWITCHING 35V DO-34 | تحقيق |
|
MA2C85800E | Panasonic | DIODE BAND SWITCHING 35V DO-34 | تحقيق |
 |
MA2C17900E | Panasonic | DIODE GEN PURP 80V 200MA DO34 | تحقيق |
|
MA2C70000F | Panasonic | DIODE SCHOTTKY 15V 30MA DO34 | تحقيق |
 |
MA2J11100L | Panasonic | DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI2 | تحقيق |
 |
MA2C16700E | Panasonic | DIODE GEN PURP 75V 100MA DO34 | تحقيق |
 |
MA2C029TAF | Panasonic | DIODE GEN PURP 6V 70MA DO34 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات