M95512-DFMC6TG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل M95512-DFMC6TG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل M95512-DFMC6TG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء M95512-DFMC6TG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
M95512-DFMC6TG
- رقم القطعة:
- M95512-DFMC6TG
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- IC EEPROM 512K SPI 8UFDFPN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 29177 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- M95512-DFMC6TG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | 5ms |
| الجهد - توريد: | 1.7 V ~ 5.5 V |
| تكنولوجيا: | EEPROM |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-UFDFPN (2x3) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | 8-UFDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | 497-15778-6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| نوع الذاكرة: | Non-Volatile |
| حجم الذاكرة: | 512Kb (64K x 8) |
| واجهة الذاكرة: | SPI |
| تنسيق الذاكرة: | EEPROM |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | EEPROM Memory IC 512Kb (64K x 8) SPI 16MHz 8-UFDFPN (2x3) |
| تردد على مدار الساعة: | 16MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لM95512-DFMC6TG
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي