M58LW064D110ZA6 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل M58LW064D110ZA6، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل M58LW064D110ZA6 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء M58LW064D110ZA6 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
M58LW064D110ZA6
- رقم القطعة:
- M58LW064D110ZA6
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- IC FLASH 64M PARALLEL 64TBGA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 21044 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- M58LW064D110ZA6.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | - |
| الجهد - توريد: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| تكنولوجيا: | FLASH - NOR |
| تجار الأجهزة حزمة: | 64-TBGA (10x13) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 64-TBGA |
| اسماء اخرى: | 497-1728 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| نوع الذاكرة: | Non-Volatile |
| حجم الذاكرة: | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
| واجهة الذاكرة: | Parallel |
| تنسيق الذاكرة: | FLASH |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | FLASH - NOR Memory IC 64Mb (8M x 8, 4M x 16) Parallel 110ns 64-TBGA (10x13) |
| رقم جزء القاعدة: | M58LW064D |
| وقت الدخول: | 110ns |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لM58LW064D110ZA6
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي